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    產品詳情 / Product Details位置: 首頁 > 晶泰產品 > YTC300-MCZ電子級單晶爐

    主要性能指標


    爐室資料Puller Data
    單晶直徑Crystal diameter:12〞- 18〞
    裝料量Charge size:450kg
    喉管直徑Throat Diameter:28”~36”
    主爐膛內徑Main furnace Diameter:Φ1300mm
    主爐膛高度Main furnace Height:1938mm

    爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening: 520mm×2800mm

    喉管直徑(Throat Diameter):Φ500 mm

    主真空泵抽速Vacuum Pumps-Main: 221 cfm (6,260 l/min)

    輔助真空泵抽速(Recommended) Aux: 60 cfm (1,700 l/min)

    副室類型Deputy room type:全開門Full-door 

    爐蓋類型Lid Type:穹頂 Dome或扁平 Flat
    磁場類型Field type:勾型、水平型(可選)hook type, horizontal type (optional)
    有導流筒提升、激光測距、CCD控徑
    There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
    可提供二次加料providing secondary feed


    坩堝驅動單位Crucible drive unit
    提升速度( Lifting speed):0-4mm/min
    最快提升速度(Fast Seed Lift Rate):(≥150mm/min) 

    行程 Stroke:800mm
    轉速 Rotation speed:0-20 rpm


    晶驅動單位 Crystal drive unit

    籽晶提升慢速(Seed Lift Rate):0-8 mm/mim

    籽晶提升快速(Fast Seed Lift Rate):620 mm/min

    籽晶行程(Seed Travel):4000 mm

    籽晶旋轉(Seed Rotation):0-30 rpm


    廠務要求Utilities
    電源電壓(Source Voltage):380V±10%
    頻率(Frequency):50/60 Hz
    主變壓器(Main Transformer):320 KVA
    副變壓器(Subsidiary Transformer):67 KVA
    環境溫度(Ambient Temperature):5~40
    相對濕度(Relative Humidity):<70%
    入口端最高水溫(Maximum Inlet Temperature) 77°F (25℃)
    最小流量(Minimum Flow Rate):≥400 L/min
    入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):2.0-3.0 bar
    主氬氣流量(Mass Flow Control Max.):100-200 L/min
    壓力(Pressure):3.5-5 bar
    壓縮空氣(Air)
    極限真空(Ultimate Vacuum):≤30m Torr
    泄漏率(Leakage Rate):≤40m Torr/h
    可控壓力范圍(Controllable Pressure Scope):10-50 Torr
    推薦壓力(Recommended Supply Pressure):4-7 bar
    消耗量(Consumption):100 L/爐次


    控制系統System Control
    自動過程Automatic process
    標準PLC/PC控制control by PLC/PC. Equipped as standard


    外形尺寸Dimensions(approx.)
    總高度 (closed):8,311mm
    寬 Width (W):2,500mm
    深 Depth (D):3,424mm


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